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据领会，离子注入机取光刻机、刻蚀机、薄膜堆积设备并称为芯片制制“四大焦点配备”，是半导体系体例制不成或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核手艺取半导体财产深度融合的主要，将无力提拔我国正在功率半导体等环节范畴的自从保障能力，更为帮力“双碳”方针实现。
近日，由中核集团中国原子能科学研究院自从研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，焦点目标达到国际先辈程度。为鞭策高端制制配备自从可控、保障财产链平安奠基根本。
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